Microchip Technology
2N4392
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 400 mV、栅源击穿电压（Vgs） 40 V、栅源截止电压 5 V，采用 TO-18-3 封装。
基本资料
- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- JFETs
- 封装
- TO-18-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 漏源击穿电压（Vds）
- 400 mV
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 40 V
- 栅源截止电压
- 5 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 75 mA
- 连续漏极电流（Id）
- 12 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 60 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 1.8 W
- 工作温度范围
- -65～175 °C
- 最大漏栅电压
- 40 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。