1N5256B
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.091 %/C、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 49 Ω，采用 DO-7 封装。
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1N5256B
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 49 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B A0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 4.2 mA、稳压管阻抗（Zz） 49 Ω、最大工作温度 + 200 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.091 %/C、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 49 Ω，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B BK PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、测试电流 4.2 mA，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B BK TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 49 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B R0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 49 Ω、最大工作温度 + 200 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B R0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N5256B PBFREE TR，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5256B TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、测试电流 4.2 mA，采用 DO-35 封装。
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