ChipSourceHub 美芯科技

Taiwan Semiconductor

1N5256B A0G

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 30 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 4.2 mA、稳压管阻抗(Zz) 49 Ω、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35-2 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Taiwan Semiconductor
产品类别
二极管
产品系列
1N5256B
封装
DO-35-2
安装方式
通孔安装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

11 项参数
稳压电压(Vz)
30 V
耗散功率(Pd)
500 mW
电压容差
5 %
稳压管电流
4.2 mA
稳压管阻抗(Zz)
49 Ω
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
测试电流
4.2 mA
正向电流(If)
200 mA
反向电流(Ir)
0.1 uA
正向电压(Vf)
1.1 V

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

1N5256B A0G 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技