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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SURA8210T3Gonsemi
  • NRVUA210VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8240T3Gonsemi
  • SURA8240T3G-VF01
2021-07-07查看资料
INA826AIDGKTexas Instruments
  • INA823DGKT
  • INA823DGKR
  • INA826AIDGKR
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OPA637Texas Instruments
  • OPA828
  • OPA627
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

16 个原型号
原型号

A8293SESTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 2 条候选
  • A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号
原型号

A8293SETTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 2 条候选
  • A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号
原型号

AD797BRZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • INA828IDRTexas Instruments相似型号
原型号

AD8057ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA820IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL5156IS-T13

Renesas Electronics Corporation

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  • OPA820IDRTexas Instruments相似型号
原型号

LM4040B82IDBZT

Texas Instruments

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  • LM4040A82IDBZRTexas Instruments参数相近
原型号

LM4040BIM3X-8.2

Texas Instruments

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  • LM4040A82IDBZRTexas Instruments参数相近
原型号

LM4050BIM3X-8.2

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选

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  • LM4040A82IDBZRTexas Instruments相似型号
原型号

LT1168ACS8#TRPBF

Analog Devices Inc.

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  • INA828IDTexas Instruments相似型号
原型号

OPA627BP

Texas Instruments

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  • OPA828IDRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

152 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

INA826SIDRCR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 16 mA、放大器类型 Instrumentation Amplifier、输出类型 Rail to Rail，采用 VSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA826SIDRCT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 16 mA、放大器类型 Instrumentation Amplifier、输出类型 Rail to Rail，采用 VSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA826SIDRCTG4

Texas Instruments

Instrumentation Amplifiers 200 A 36V Rail-to- R ail Out Instrumenta

半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA827AIDGK

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 1.35～18 V、工作电源电压 2.7～36 V、每通道输出电流 16 mA、放大器类型 Instrumentation Amplifier、输出类型 Rail-to-Rail，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA827AIDGKR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 1.35～18 V、工作电源电压 2.7～36 V、每通道输出电流 16 mA、输出类型 Rail-to-Rail、压摆率（SR） 1.5 V/us，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA828ID

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 18 mA、压摆率（SR） 1.2 V/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA828IDG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。

半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA828IDR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 18 mA、压摆率（SR） 1.2 V/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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LM4040A82IDBZR

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 8.192 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 150 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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LM4040A82IDBZT

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 8.192 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 150 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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