Texas Instruments
INA828IDR
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 18 mA、压摆率（SR） 1.2 V/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Instrumentation Amplifiers
- 产品系列
- INA828
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 压摆率（SR）
- 1.2 V/us
- 共模抑制比（CMRR）
- 140 dB
- 输入偏置电流（Ib）
- 600 pA
- 输入失调电压（Vos）
- 50 uV
- 最大输入电阻
- 40 kOhms
- 电源电压范围
- 4.5～36 V
- 工作电源电流
- 600 uA
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 产品
- Instrumentation Amplifiers
- 关断功能
- No Shutdown
- 3 dB 带宽
- 2 MHz
展开更多参数（8 项）
- 输入电压噪声密度
- 7 nV/sqrt Hz
- 增益误差
- 0.001 %
- 输入电流噪声密度
- 170 fA/sqrt Hz
- 输入失调电流（Ios）
- 2 nA
- 湿敏性
- 是
- 每通道输出电流
- 18 mA
- 电源抑制比（PSRR）
- 135 dB
- 单件重量
- 0.002970 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。