MSC360SMA120B4N
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 mSIC MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV，采用 TO-247-4 封装。
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芯片技术资料
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MSC360SMA120S
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 360 mOhms，采用 D3PAK-3 (TO-268-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC360SMA120SA
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC360SMA120SCT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 PSMT-16 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC360SMA120SCT/RM
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC360SMA120SDT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源导通电阻（Rds On） 450 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC360SMA120SDT/RM
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsP4SMA120C
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 97.2 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 173 V、击穿电压 108 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA12CA-E3/5A
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 10.2 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 16.7 V、击穿电压 11.4 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA12CA-E3/61
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 10.2 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 16.7 V、击穿电压 11.4 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS