Microchip Technology
MSC360SMA120S
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 360 mOhms，采用 D3PAK-3 (TO-268-3) 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- D3PAK-3 (TO-268-3)
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
技术参数
4 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 360 mOhms
- 技术
- 碳化硅（SiC）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。