原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEA128J2CAAR
NXP USA Inc.
- S912XEG128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-TPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DP | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX350AT3C00XPEA0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| MT9V128IA3XTC-TR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DRBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEG128J2CAAR
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选S912XEG128W1MAA
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2MAANXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选SFEM008GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Swissbit
- NSEC53T064-ITInsignis Technology Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
- SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STDSwissbit直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1733CT/N1,118
NXP USA Inc.
- TEA1733T/N1,118NXP USA Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 2 条候选TEA18362LT/1J
NXP USA Inc.
- TEA18362T/1JNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1999TK/1J
NXP USA Inc.
- TEA1999TK/2JNXP USA Inc.直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TEA1755T/1,518
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935296018518、单件重量 0.005402 oz，采用 SO-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > AC/DC ConvertersTEA1761T/N2/DG,118
NXP Semiconductors
主要参数包括最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935288652118、单件重量 0.002870 oz，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Factor Correction - PFCTEA1762T/N2/DG,118
NXP Semiconductors
主要参数包括最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935287269118、单件重量 0.004379 oz，采用 SO-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Factor Correction - PFCTEA1791AT/N1,118
NXP Semiconductors
主要参数包括输出电压 10 V、输出电流 2.7 A、输出数 1 Output、输入电压 8.5～38 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersTEA1791T/N1,118
NXP Semiconductors
主要参数包括耗散功率（Pd） 0.45 W、型号别名 935287392118、单件重量 0.002857 oz，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Factor Correction - PFCTEA1792AT/1,118
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括型号别名 935298224118、单件重量 0.002860 oz。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTEA1792ATS/1Z
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括输出电压范围 9～12 V、类型 Synchronous Rectifier Controller、输入电压范围 8.5～38 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、应用 Adapters, Quasi Resonant Flyback System，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTEA1792T/N1,118
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括输出电流 2.7 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935295687118、单件重量 0.002860 oz，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTEA1792TS/1Z
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括输出电压范围 9～12 V、类型 Synchronous Rectifier Controller、输入电压范围 8.5～38 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、应用 Adapters, Quasi Resonant Flyback System，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTEA1795T/N1,118
NXP Semiconductors
主要参数包括输出电压 10 V、输出电流 2.7 A、开关频率 500 kHz、输入电压 8.5～38 V、输出功率 450 mW、型号别名 935291564118，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Controllers