原型号
查看详情 · 2 条候选92042022A
Vishay Siliconix
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- DG409DY-E3Vishay Siliconix相似型号
搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| ZABG4002JA16TC | Diodes Incorporated |
| 2019-06-28 | 查看资料 |
| ADG406BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG406BP-REEL | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG408BN | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BRU | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| XC3S400AN-4FG400C4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 | |
| XC3S400AN-4FG400I4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 27 条候选ADG1308BRZ-REEL7
Analog Devices Inc.
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- DG408CY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 21 条候选ADG408BR
Analog Devices Inc.
- ADG408BRZAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 21 条候选ADG408BR-REEL
Analog Devices Inc.
- ADG408BRZ-REELAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
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原型号
查看详情 · 1 条候选DG384BDJ-E3
Vishay Siliconix
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG403DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DG403DJ-E3Vishay Siliconix相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
T1G4012036-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管T1G4012036-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管T1G4020036-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管T1G4020036-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管T2G4003532-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管T2G4003532-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、输出功率 30 W。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管T2G4005528-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管TXG4020DDFR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 250 Mb/s、类型 Ground-Level Translator、逻辑类型 CMOS，采用 SOT-23-THIN-8 封装。
半导体 > Logic ICs > Translation - Voltage LevelsTXG4020DR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 264 Mb/s、类型 Ground Level Translator、传播延迟时间 5.9 ns，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Logic ICs > Translation - Voltage LevelsTXG4021DDFR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 250 Mb/s、类型 Ground-Level Translator、逻辑类型 CMOS，采用 SOT-23-THIN-8 封装。
半导体 > Logic ICs > Translation - Voltage Levels