原型号
查看详情 · 2 条候选92042022A
Vishay Siliconix
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- DG409DY-E3Vishay Siliconix相似型号
搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| ZABG4002JA16TC | Diodes Incorporated |
| 2019-06-28 | 查看资料 |
| ADG406BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG406BP-REEL | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG408BN | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BRU | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| XC3S400AN-4FG400C4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 | |
| XC3S400AN-4FG400I4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 27 条候选ADG1308BRZ-REEL7
Analog Devices Inc.
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- DG408CY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 21 条候选ADG408BR
Analog Devices Inc.
- ADG408BRZAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 21 条候选ADG408BR-REEL
Analog Devices Inc.
- ADG408BRZ-REELAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Vishay Siliconix
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原型号
查看详情 · 9 条候选DG309DY-T1-E3
Vishay Siliconix
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
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原型号
查看详情 · 1 条候选DG384BDJ-E3
Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG403DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DG403DJ-E3Vishay Siliconix相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
PS08-G400KP-6P
Same Sky
该型号为传感器，主要参数包括输出电压 90 mV、压力类型 Gauge、输出类型 Analog、工作压力 400 kPa、精度 0.2 %、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsRD3G400GNTL
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETS-1411G40-K8T2U4
ABLIC
主要参数包括电源电压（最小值） 900 mV、电源电压（最大值） 6 V、类型 Timer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、原产国家或地区 日本，采用 TMSOP-8 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsSG40SC10U-5600
Shindengen
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionSG40TC10M-5600
Shindengen
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionSG40TC12M-5600
Shindengen
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionSIHG40N60E-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 65 mOhms，采用 TO-247AC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIHG40N60E-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 65 mOhms，采用 TO-247AC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsT1G4004532-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、漏源击穿电压（Vds） 32 V、栅源击穿电压（Vgs） 100 V、耗散功率（Pd） 45 W、配置 Single、高度 4.064 mm。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管T1G4004532-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、漏源击穿电压（Vds） 32 V、栅源击穿电压（Vgs） 100 V、耗散功率（Pd） 45 W、配置 Single、高度 4.064 mm。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管