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原厂资料

3 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
LA6324NM-MPB-Eonsemi
  • LM224
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MPSA63RLRMGonsemi
  • MPSA63RLRAG
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OPA637Texas Instruments
  • OPA828
  • OPA627
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

44 个原型号
原型号

AD711KRZ-REEL7

Analog Devices Inc.

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  • OPA637AU/2K5Texas Instruments相似型号
原型号

OP90GSZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA637AU/2K5Texas Instruments相似型号
原型号

TAS5414ATPHDQ1

Texas Instruments

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  • TPA6304QDDVRQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

TPS3703A5330DSER

Texas Instruments

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  • TPS3703A6330DSERTexas Instruments参数相近
原型号

XC6121A634ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121C634ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6121A639ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121C639ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6121C632ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A632ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6121C637ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A637ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6121D633ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A633ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

XC6121D638ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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  • XC6121A638ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

92 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PE15A63025

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.495 lbs。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A63026

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.500 lbs。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A63027

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.505 lbs。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A63028

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.570 lbs。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A63029

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.520 lbs。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A63031

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.500 lbs。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PI3A6386ZLEX

Diodes Incorporated

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、产品 USB Type-C、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 TQFN-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > USB Switch ICs
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SA630D/01,112

NXP Semiconductors

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、电源电压（最大值） + 5.5 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、工作频率 1 GHz、技术 硅、开关数 Single，采用 SO-8 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICs
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SA630D/01,118

NXP Semiconductors

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SPDT、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICs
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SA636BS,115

NXP Semiconductors

主要参数包括工作电源电压 3 V、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、增益 11 dB、工作电源电流 6.5 mA，采用 HVQFN-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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