IXBH14N250A
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.229281 oz。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
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IXBK64N250
IXYS
主要参数包括技术 Si、商品名称 BIMOSFET、单件重量 0.225753 oz。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversIXBL64N250
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、商品名称 BIMOSFET，采用 ISOPLUS i5-PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsIXFA44N25X3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXFP44N25X3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 40 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 2.5 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA44N25T
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 72 Ω、单件重量 0.056438 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTH1R4N250P3
Littelfuse
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXTH44N25L2
IXYS
主要参数包括类型 Linear L2、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 75 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 2.5 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTP44N25T
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 72 Ω、单件重量 0.081130 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTQ64N25P
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 64 A，采用 TO-3P-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET