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原厂资料

10 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
ZABG4002JA16TCDiodes Incorporated
  • ZABG4003JA16TC
2019-06-28查看资料
ADG406BPAnalog Devices
  • ADG406BPZ
2017-11-21查看资料
ADG406BP-REELAnalog Devices
  • ADG406BPZ-REEL
2017-11-21查看资料
ADG407BPAnalog Devices
  • ADG407BPZ
2017-11-21查看资料
ADG408BNAnalog Devices
  • ADG408BNZ
2017-11-21查看资料
ADG407BNAnalog Devices
  • ADG407BNZ
2012-04-19查看资料
ADG409BNAnalog Devices
  • ADG409BNZ
2012-04-19查看资料
ADG409BRUAnalog Devices
  • ADG1409YRUZ
2012-04-19查看资料
XC3S400AN-4FG400C4100Xilinx (AMD)
  • XC3S400AN-4FG400C
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XC3S400AN-4FG400I4100Xilinx (AMD)
  • XC3S400AN-4FG400I
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

33 个原型号
原型号

92042022A

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG409DY-E3Vishay Siliconix相似型号
原型号

ADG1308BRZ-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 27 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG408CY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

ADG408BR

Analog Devices Inc.

查看详情 · 21 条候选
  • ADG408BRZAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADG408BR-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 21 条候选
  • ADG408BRZ-REELAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADG408BRUZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 13 条候选
  • ADG1408YRUZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG309DY-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG409DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG384BDJ-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG409DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG403BDY-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 4 条候选
  • DG403DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG403DJ

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 1 条候选
  • DG403DJ-E3Vishay Siliconix相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

858 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MAPC-A4019-ABSB1

MACOM

RF Amplifier Sample Amplifier, 5.85-6.75GHz,60W,G40V4

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MAPC-A4021-AB000

MACOM

RF Amplifier Amplifier, 7.7 - 8.5 GHz, 130W, G40V4-1

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MCG40N03-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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MCG40N10Y-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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MCG40N10YHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 17 mOhms。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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MG400Q2YMS3(DAE)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 400 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, 25 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules
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MG400V2YMS3(DAE)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 400 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, 25 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules
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MSMCG40A/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 44.4 V、工作电压 40 V、钳位电压 64.5 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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MSMCG40AE3/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 44.4 V、工作电压 40 V、钳位电压 64.5 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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MT43A4G40200NFA-S15:A

Micron

主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 HMC DRAM、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 4 G x 4，采用 BGA-896 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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