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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SISS80DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 210 A、漏源导通电阻（Rds On） 920 uOhms。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SN74ALS804AN

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 25 mA、低电平输出电流 15 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 PDIP-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates
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SN74AS804BDW

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 48 mA、低电平输出电流 48 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 SOIC-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates
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SN74AS804BN

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 48 mA、低电平输出电流 48 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 PDIP-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates
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SN74AS808BDW

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 48 mA、低电平输出电流 48 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 SOIC-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates
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SN74AS808BN

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 48 mA、低电平输出电流 48 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 PDIP-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates
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SN74AS808BNE4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 48 mA、低电平输出电流 48 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 PDIP-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Logic Gates
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SS80-W

Rectron

该型号为二极管。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SS8050-G

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SS8050-HF

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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