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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
ATMEGA64-16AUA2Microchip
  • ATMEGA64-16AU
2023-05-16查看资料
ATMEGA64L-8AQRA1Microchip
  • ATMEGA64L-8AQR
2023-05-16查看资料
ATMEGA64L-8AUA4Microchip
  • ATMEGA64L-8AU
2023-05-16查看资料
NL3S644BFCTAGonsemi
  • FSA644BUCX
2019-04-17查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

80 个原型号
原型号

24AA64FT-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 17 条候选
  • 24AA64F-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24AA64X-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选
  • 24AA64XT-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24AA64X/ST

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选
  • 24AA64XT/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24LC64T-I/MC

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64T-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

25AA640A-E/MS

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选
  • BR25S640FVJ-WE2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

AT24C32CN-SH-T

Microchip Technology

查看详情 · 21 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64-I/SMMicrochip Technology相似型号
原型号

AT24C64-10PC-2.7

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64/PMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT24C64-10PI-2.5

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64F-I/PMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT24C64AN-10SI-1.8-T

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64F-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT24C64C-TH-B

Microchip Technology

查看详情 · 24 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA64F-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

719 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MMBTA64LT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MMBTA64LT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
查看技术资料

MMBTA64LT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23 (Pb-Free) 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
查看技术资料

MMBTA64LT3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MMSTA64-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MMSTA64T146

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPSA64

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA64 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA64 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA64 H

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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