Central Semiconductor
MPSA64 H
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MPSA63
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 10 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 30 V
- 最大直流集电极电流
- 500 mA
- 最大集电极截止电流
- 100 nA
- 耗散功率（Pd）
- 625 mW
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 连续集电极电流
- 500 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 20000
- 增益带宽积（fT）
- 125 MHz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。