MSC040SMA120S/TR
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 64 A、漏源导通电阻（Rds On） 40 mOhms，采用 D3PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MSC040SMA120SCT/R
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 40 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC040SMA120SDT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 mSiC MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV，采用 D3PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120B
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMSC080SMA120B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 37 A、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120B4
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 37 A、漏源导通电阻（Rds On） 80 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120B4N
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 mSIC MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120J
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMSC080SMA120J
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 37 A，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesMSC080SMA120JS15
Microchip Technology
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、下降时间 19 ns，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules