UPD78F0573MC(S)-CAB-E1-AX
Renesas Electronics
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU搜索结果
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芯片技术资料
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UPD78F0583GA(R)-GAM-AX
Renesas Electronics
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUUPD78F0583GA(S)-GAM-AX
Renesas Electronics
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUUPD78F0588GA(S)-GAM-AX
Renesas Electronics
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUWNSC2M1K0170B7-AJ
WeEn Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934073901118。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersWNSC2M1K0170B7J
WeEn Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 7.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 1 Ω，采用 TO-263-7L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsWNSC2M1K0170JQ
WeEn Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 4.6 A、漏源导通电阻（Rds On） 1 Ω，采用 TO-3PF-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsWNSC2M1K0170W-AQ
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934073918127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsWNSC2M1K0170WQ
WeEn Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源导通电阻（Rds On） 1 Ω，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs