WeEn Semiconductors
WNSC2M1K0170B7J
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 7.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 1 Ω，采用 TO-263-7L 封装。
基本资料
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- WeEn Semiconductors
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- TO-263-7L
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.7 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 7.5 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1 Ω
- 栅源电压（Vgs）
- - 5 V, + 18 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.2 V
- 栅极电荷（Qg）
- 12 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 91 W
- 通道模式
- Enhancement
- 原产国家或地区
- 中国
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- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 型号别名
- 934073346118
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。