BC846BMB,315
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-1006B-3 封装。
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BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPDW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPN,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPN-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPN-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPN-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPNH-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPNH-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC846BPNHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT