ON Semiconductor
BC846BPDW1T1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BC846BPDW1
- 封装
- SC-70-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 65 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.6 V
- 最大直流集电极电流
- 0.1 A
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 高度
- 0.9 mm
- 长度
- 2 mm
- 宽度
- 1.25 mm
展开更多参数（4 项）
- 连续集电极电流
- 0.1 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 150
- 耗散功率（Pd）
- 380 mW
- 单件重量
- 0.000988 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。