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原厂资料

7 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PI7C9X20303ULAZPEXDiodes Incorporated
  • PI7C9X2G304EVAZXAEX
2026-01-22查看资料
IHCM2321AAEG301N10Vishay
  • ICMS2321AGEG281N10
2025-09-11查看资料
G30H150CTFWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCTSP
2022-08-29查看资料
G30H150CTWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCT
2022-08-29查看资料
RHRG1560CC-F085onsemi
  • RURG3060CC-F085
2021-04-08查看资料
CG10167AAInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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CG10167AATInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号
原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选
  • DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选
  • DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选
  • DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MMG3014N-EVKB3

NXP / Freescale

主要参数包括型号别名 935327963598、单件重量 1 lb。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3014N-EVKB7

NXP / Freescale

主要参数包括型号别名 935326216598、单件重量 1 lb。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3014NT1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 40 MHz to 4 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3014NT1

NXP Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 40 MHz to 4 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG30271BT1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 900 MHz to 4.3 GHz、测试频率 2.14 GHz、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26.9 dBm，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG30271BT1

NXP Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 900 MHz to 4.3 GHz、测试频率 2.14 GHz、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26.9 dBm，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG30301BT1

NXP / Freescale

该型号为运算放大器，主要参数包括型号别名 935312895147、单件重量 0.001792 oz。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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MMG30301BT1

NXP Semiconductors

该型号为运算放大器，主要参数包括型号别名 935312895147、单件重量 0.001792 oz。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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MRF24G300HS-2450

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 150 V、增益 15.5 dB，采用 NI-780S-4L 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors
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MSMCG30A/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 33.3 V、工作电压 30 V、钳位电压 48.4 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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