BC858BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-323-3 封装。
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芯片技术资料
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BC858BWHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858BWT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858BWT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC858BWT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTABC858B-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTABC858BW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBC858BLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBC858BLT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
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