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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SURA8120T3Gonsemi
  • NRVUA120VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8140T3Gonsemi
  • NRVUA140VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8160T3Gonsemi
  • NRVUA160VT3G
2021-07-07查看资料
SBRA8160T3Gonsemi
  • SBRA8160NT3G
2020-02-21查看资料
KSA812YMTFonsemi
  • MSA1162GT1G
2019-07-16查看资料
INA118PTexas Instruments
  • INA818IDR
  • INA818ID
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

A8650KLYTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • VCA810AIDTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

100 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

KSA812YMTF

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MIXA81H1200EH

IXYS

主要参数包括配置 Half Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 120 A、栅射漏电流 500 nA、耗散功率（Pd） 390 W，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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MIXA81WB1200TEH

IXYS

主要参数包括配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 90 A, 120 A、栅射漏电流 500 nA、耗散功率（Pd） 290 W, 390 W，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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OPA810IDBVR

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 4.75 V、每通道输出电流 75 mA、增益带宽积（GBP） 70 MHz、压摆率（SR） 200 V/us。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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OPA810IDBVRG4

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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OPA810IDBVT

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 4.75 V、每通道输出电流 75 mA、增益带宽积（GBP） 70 MHz、压摆率（SR） 200 V/us。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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OPA810IDCKR

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 4.75 V、每通道输出电流 75 mA、输入类型 Rail-to-Rail、输出类型 Rail-to-Rail，采用 SC-70-5 封装。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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OPA810IDCKRG4

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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OPA810IDR

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 4.75 V、每通道输出电流 75 mA、输入类型 Rail-to-Rail、输出类型 Rail-to-Rail，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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OPA810IDT

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 4.75 V、每通道输出电流 75 mA、输入类型 Rail-to-Rail、输出类型 Rail-to-Rail，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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