CG2H80015D-GP4
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。
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芯片技术资料
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CG2H80015D-GP4
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管CM8068403380018S R3WS
Intel
主要参数包括最大时钟频率 3.7 GHz、存储容量 64 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、工作电源电压 1.2 V、睿频频率（最大值） 4.7 GHz，采用 FCLGA-1151 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsCMNDM8001 TR
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 SOT-953 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCMNDM8001 TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、漏源导通电阻（Rds On） 2.4 Ω、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCMUDM8001 TR
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、商品名称 UltraMini，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCMUDM8001 TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 100 mA，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCY7C68001-56LTXC
Cypress Semiconductor
该型号为接口集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 Serial, USB、数据速率 480 Mb/s、产品 USB Controllers、标准 USB 2.0、速度 High Speed，采用 QFN-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface ICCY7C68001-56PVXCT
Cypress Semiconductor
该型号为接口集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、接口类型 FIFO, I2C, JTAG, SPI, UART、数据速率 480 Mb/s、产品 USB Controllers、标准 USB 2.0、速度 High Speed，采用 SSOP-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface ICDMTH8001STLWQ-13
Diodes Incorporated
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 270 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.7 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs