Central Semiconductor
CMNDM8001 TR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 SOT-953 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Central Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- CMNDM
- 封装
- SOT-953
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 200 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 2.4 Ω
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.1 V
- 栅源电压（Vgs）
- 10 V
- 栅极电荷（Qg）
- 658 pC
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 配置
- Single
展开更多参数（6 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 1 P-Channel
- 正向跨导（最小值）
- 100 mS
- 典型关断延迟时间
- 80 ns
- 典型导通延迟时间
- 35 ns
- 型号别名
- CMNDM8001 PBFREE TR
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。