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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
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71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FDMS8090

onsemi

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 8 A, 10 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDMS8095AC

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 27 A, 2.2 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FS800R07A2E3B32BOSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、25°C 时连续集电极电流 800 A，采用 HybirdPack2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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FS800R07A2E3_B31

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、25°C 时连续集电极电流 800 A，采用 HybirdPack2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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GA01PNS80-220

GeneSiC Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括类型 Silicon PIN Diode、反向电压（Vr） 8 kV、最大二极管电容 26 pF、正向电流（If） 2 A、正向电压（Vf） 6.1 V、最小工作温度 - 55 C，采用 11.18 mm x 9.14 mm x 6.35 mm 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN Diodes
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HTMS8001FTB/AF,115

NXP Semiconductors

主要参数包括存储容量 128 位、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 100～150 kHz、类型 Transponder IC、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 XSON-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID Transponders
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HTMS8001FTK/AF,115

NXP Semiconductors

主要参数包括工作频率 100～150 kHz、型号别名 935290135115、单件重量 0.000493 oz。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID Transponders
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HTMS8001FUG/AM,005

NXP Semiconductors

主要参数包括工作频率 100～150 kHz、型号别名 935288709005、单件重量 0.000004 oz。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID Transponders
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IPS80R1K2P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 IPAK-SL-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IPS80R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.4 Ω，采用 TO-251-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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