2SK2315TYTR-E
Renesas Electronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 UPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
2SK2394-6-TB-E
ON Semiconductor
主要参数包括类型 JFET、单件重量 0.000409 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK2394-6-TB-E
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000409 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2SK2394-7-TB-E
ON Semiconductor
主要参数包括类型 JFET、单件重量 0.000411 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK2463T100
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET2SK2615(TE12L,F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 SC-62-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET2SK2731T146
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET3SK291(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-24-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors3SK292(TE85R,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SMQ-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors3SK293(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-343-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors