2SK208-Y(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 30 V、栅源电压为零时的漏源电流 1.2 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET搜索结果
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芯片技术资料
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2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、连续漏极电流（Id） 14 mA、耗散功率（Pd） 150 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-346-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、连续漏极电流（Id） 14 mA、耗散功率（Pd） 150 mW、栅源截止电压 - 1.5 V，采用 SC-59 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK209-Y(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、连续漏极电流（Id） 14 mA、耗散功率（Pd） 150 mW、栅源截止电压 - 1.5 V，采用 SOT-346-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK2094TL
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET2SK2103T100
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Dual、连续漏极电流（Id） 14 mA、耗散功率（Pd） 300 mW、栅源截止电压 - 1.5 V，采用 SOT-346-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Dual、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 30 V、栅源电压为零时的漏源电流 2.6 mA，采用 SMV-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK2145-Y(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Dual、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 30 V、栅源电压为零时的漏源电流 1.2 mA，采用 SMV-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK2221-E
Renesas Electronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.194007 oz，采用 TO-3P-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET