Toshiba
2SK2145-Y(TE85L,F)
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Dual、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 30 V、栅源电压为零时的漏源电流 1.2 mA，采用 SMV-5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- JFET
- 产品系列
- 2SK2145
- 封装
- SMV-5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Dual
- 漏源击穿电压（Vds）
- 10 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 30 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 1.2 mA
- 连续漏极电流（Id）
- 14 mA
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
- 类型
- JFET
- 栅源截止电压
- - 1.5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。