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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

52 个原型号
原型号

CLC1003IST5X

MaxLinear, Inc.

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  • OPA725AIDBVRTexas Instruments相似型号
原型号

DA7281-00V42

Renesas Electronics Corporation

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  • DA7280-00V42Renesas Electronics Corporation参数相近
原型号

DA7283-01FV2

Renesas Electronics Corporation

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  • DA7283-01FVCRenesas Electronics Corporation参数相近
原型号

LM4819MX/NOPB

Texas Instruments

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  • TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号

LM4900M/NOPB

Texas Instruments

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  • TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号

MC34119D

NXP USA Inc.

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  • TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号

MCP6H91-E/SN

Microchip Technology

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  • OPA725AIDRTexas Instruments相似型号
原型号

OPA725AIDBVR

Texas Instruments

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  • AD8091ARTZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

OPA726AIDR

Texas Instruments

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  • OPA726AIDTexas Instruments相似型号
原型号

TA7291P(O)

Toshiba Semiconductor and Storage

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  • TB6640FTG,ELToshiba Semiconductor and Storage相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

353 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SISA72ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 94 A，采用 PowerPAK1212-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SISA72DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-1212-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SISA72DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-1212-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SMA72

MACOM

RF Amplifier 5-500MHz NF 3.3dB Gain 15.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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SQJ456EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源导通电阻（Rds On） 26 mOhms，采用 SO-8L-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SQJA72EP-T1_BE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 37 A，采用 PowerPAK-SO-8L-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SQJA72EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 37 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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STWA72N60DM2AG

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、商品名称 MDmesh。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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STWA72N60DM6AG

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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TA7267BP(O)

Toshiba

采用 HSIP 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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