Vishay / Siliconix
SQJ456EP-T2_GE3
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源导通电阻（Rds On） 26 mOhms，采用 SO-8L-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- SQ
- 封装
- SO-8L-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 32 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 26 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 42 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 83 W
- 配置
- Single
展开更多参数（3 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 认证等级
- AEC-Q101
- 商品名称
- TrenchFET
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。