1SS401(TE85L,F)
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 100 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 300 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向浪涌电流（Ifsm） 700 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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1SS402TE85LF
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A、配置 Dual，采用 SOT-343-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS403,H3F
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括类型 Silicon Epitaxial Planar Type、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 300 mA、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1SS403E,L3F
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、恢复时间 60 ns。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1SS403TPH3F
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 100 mA、配置 Single，采用 USC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1SS404,H3F
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 300 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 0.38 V、配置 Single，采用 SOT-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS405
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 550 mV，采用 SOD-523-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS405(TPH3,F)
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V，采用 SOD-523-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS405,H3F
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 SOD-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS405-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V，采用 SOD-523-2 封装。
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