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Toshiba

1SS403,H3F

该型号为二极管,主要参数包括类型 Silicon Epitaxial Planar Type、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流(If) 300 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 SOD-323 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
二极管
产品系列
1SS403
封装
SOD-323
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
250 V
最大浪涌电流
2 A
正向电流(If)
300 mA
正向电压(Vf)
1.2 V
反向电流(Ir)
1 uA
高度
0.9 mm
长度
1.7 mm
类型
Silicon Epitaxial Planar Type
宽度
1.25 mm
最大二极管电容
3 pF
耗散功率(Pd)
200 mW
展开更多参数(2 项)
反向电压(Vr)
200 V
单件重量
0.001164 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

1SS403,H3F 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技