DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 DF17MR12W1M1HF_B68 SP005754087。
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DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Modules、正向电压（Vf） 4.2 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 7 V to + 20 V、原产国家或地区 AT。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesDF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 德国、晶圆制造国家或地区 AT、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK、型号别名 DF4-19MR20W3M1HF_B11 SP005677961。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesDF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 德国、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 DF8MR12W1M1HF_B67 SP005556134。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesF3L11MR12W2M1HB19BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、型号别名 F3L11MR12W2M1H_B19 SP005634539。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesF3L8MR12W2M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、型号别名 F3L8MR12W2M1H_B11 SP005551086。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesF3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、配置 3-Phase Inverter、原产国家或地区 AT、产品 SiC IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesF410MR20W3M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 95 A、漏源导通电阻（Rds On） 13.3 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesF411MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、型号别名 F4-11MR12W2M1H_B70 SP005634630。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesF411MR12W2M1HPB76BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 德国、型号别名 F4-11MR12W2M1HP_B76 SP005634740。
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