原型号
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Microchip Technology
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来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Texas Instruments
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onsemi
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Microchip Technology
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原型号
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Nisshinbo Micro Devices Inc.
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- XC6504A381MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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ABLIC Inc.
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- S-1003NA38I-I6T1UABLIC Inc.参数相近
原型号
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ABLIC Inc.
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原型号
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ABLIC Inc.
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ABLIC Inc.
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原型号
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ABLIC Inc.
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- S-13R1A38-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
BA3834F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、滤波器类型 Band Pass、最小工作温度 - 25 C，采用 SOP-18 封装。
半导体 > 集成电路 > Active FilterBA3835F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、滤波器类型 Band Pass、最小工作温度 - 25 C，采用 SOP-18 封装。
半导体 > 集成电路 > Active FilterCA38
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCDBA380-G
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 80 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 80 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDA380UT106
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 80 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 225 mA、配置 Dual、恢复时间 4 ns，采用 UMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingFDA38N30
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 38 A，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDA38N30
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 38 A，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsFQA38N30
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETGTRA384802FC-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.8 GHz、最小工作频率 3.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA384802FC-V1-R2
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.8 GHz、最小工作频率 3.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
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