onsemi
FDA38N30
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 38 A，采用 TO-3PN-3 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- FDA38N30
- 封装
- TO-3PN-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 300 V
- 连续漏极电流（Id）
- 38 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 70 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 30 V, 30 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 60 nC
- 工作温度范围
- -55～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 312 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（8 项）
- 商品名称
- UniFET
- 配置
- Single
- 组装国家或地区
- 中国
- 晶圆制造国家或地区
- 韩国
- 原产国家或地区
- 中国
- 正向跨导（最小值）
- 6.3 S
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 单件重量
- 0.162260 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。