原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA2614IDTexas Instruments相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- OPA2690IDTexas Instruments相似型号
原型号
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Microchip Technology
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原型号
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
GPY241B0BC
MaxLinear
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 1.8 V, 3.3 V、接口类型 Ethernet、数据速率 2.5 Gb/s、产品 Ethernet PHYs、标准 10BASE-TE, 100BASE-TX, 1G/2.5GBASE-T，采用 BGA-256 封装。
半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsGPY245B0BI
MaxLinear
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 1.8 V, 3.3 V、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet PHYs、标准 2.5GBASE-T、最小工作温度 - 40 C，采用 FC-BGA-256 封装。
半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsGTRA260502M-V1-R3K
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、原产国家或地区 马来西亚。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA262802FC-V2-R0
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierGTRA262802FC-V2-R2
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierGTRA263902FC-V2-R0
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierGTRA263902FC-V2-R2
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierGTVA261701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管GTVA261701FA-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 2.69 GHz、最小工作频率 2.62 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管