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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
6KA24L-01HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-2HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-4HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-6600HE3_A/P	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-7001HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
FSA2457UMX	onsemi	TS3A5018	2022-06-30	查看资料
FSA2467UMX	onsemi	FSA2466UMX	2019-07-16	查看资料
MMT05B260T3G	onsemi	SMTPA240		查看资料
OPA241PA	Texas Instruments	OPA241UA/2K5 OPA251UA/2K5		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

52 个原型号

原型号

66AK2H12BAAWA24

Texas Instruments

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66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选

原型号

ISL84684IR

Renesas Electronics Corporation

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TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL84684IR-T

Renesas Electronics Corporation

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TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL84684IUZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

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TS3A24159DGSRTexas Instruments相似型号

原型号

LP2981A-28DBVR

Texas Instruments

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TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LP2985AIM5X-2.9/NOPB

Texas Instruments

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TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LP2985IM5X-2.7/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选

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TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LP2992IM5-2.5/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 12 条候选

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TPS7A2425DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

MIC6211BM5-TR

Microchip Technology

查看详情 · 7 条候选

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OPA244NA/250Texas Instruments相似型号

原型号

S-1121B24MC-N2JTFG

ABLIC Inc.

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XC6504A241MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

391 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

APS256XXN-OBX9-BG

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS51208N-OBR-BD

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS51208N-OCH-BD

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS512XXN-OB9-BG

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS6408L-3OBM-BA

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS6408L-3OBMX-BA

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS6408L-3OC-BA

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS6408L-OBM-BA

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS6408L-OBMX-BA

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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APS6408L-OCH-BA

AP Memory

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAM

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