AD8001ARTZ-REEL7
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V、工作电源电压 +/- 5 V，采用 SOT-23-5 封装。
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AD8001ARZ
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V、工作电源电压 3～6 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Video AmplifiersAD8001ARZ-REEL
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V、工作电源电压 +/- 5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Video AmplifiersAD8001ARZ-REEL7
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V、工作电源电压 +/- 5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Video AmplifiersCD8069504228001 SRF9P
Intel
主要参数包括最大时钟频率 2.7 GHz、存储容量 1 TB、存储通道数 6 个通道、PCI Express 通道数 48 Lane、睿频频率（最大值） 4 GHz、英特尔超线程技术 With HT Technology。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsCEDM8001 BK
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、型号别名 BK CEDM8001 PBFREE，采用 SOT-883L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCEDM8001 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCEDM8001 TR
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源导通电阻（Rds On） 8 Ω、型号别名 CEDM8001 PBFREE TR，采用 SOT-883L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCEDM8001 TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源导通电阻（Rds On） 8 Ω。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCEDM8001VL TR
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、型号别名 CEDM8001VL PBFREE TR、单件重量 0.000022 oz，采用 SOT-883VL 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET