Central Semiconductor
CEDM8001 TR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源导通电阻（Rds On） 8 Ω、型号别名 CEDM8001 PBFREE TR，采用 SOT-883L 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- CEDM80
- 封装
- SOT-883L
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 100 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 8 Ω
- 型号别名
- CEDM8001 PBFREE TR
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。