原型号
查看详情 · 1 条候选BCM53158XMB0KFBG
Broadcom Limited
- BCM53158XMB1KFBGBroadcom Limited直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
LM53635NQRNLTQ1
Texas Instruments
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 3.9 V、输出电压 3.3 V、输出电流 3.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、开关频率 2.1 MHz、类型 Synchronous Step-Down DC/DC Converter，采用 VQFN-HR-22 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsLSM535G/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535G/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535Ge3/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535Ge3/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535J/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535J/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535Je3/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLSM535Je3/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersNFAM5312SCBUT
onsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Inverter Power Module、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN、高度 5.7 mm，采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs