BC847PNQ-7R-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BC847BLP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BV-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BVC-7-F | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150ALP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150ALP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150BLP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150BLP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847CM3T5G | onsemi |
| 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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BC847QAPNZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 100 mA，采用 DFN-1010B-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847QASZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DFN-1010B-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847RAPNZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 DFN-1412-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847RAZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 DFN-1412-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847S
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847S-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847SH RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847SH6327XT
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847SH6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。
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