原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
原型号
查看详情 · 24 条候选LD2985BM50R
STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选LFE2M50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
原型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-7FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
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Lattice Semiconductor Corporation
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原型号
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Texas Instruments
- LM5000SD-6/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
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Texas Instruments
- LM5002SDX/NOPBTexas Instruments参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
BSM50GP60
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 EconoPIM2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GP60G
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 EconoPIM3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GX120DN2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 78 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesCM500C2Y-24S
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesCM50MXUA-24T
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesCM50MXUA-24T1
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesCM50MXUB-13T
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesCM50MXUB-13T1
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesDM505LRBABF
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.02～1.11 V、电源电压（最大值） 1.11 V、电源电压（最小值） 1.02 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、接口类型 CAN, I2C, SDIO, Serial, SPI, UART、类型 SoC for Vision Analytics，采用 FCBGA-367 封装。
半导体 > 集成电路 > Multimedia ICs > Video ICsDM505LRBABFR
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 8 个通道、工作电源电压 1.02～1.11 V、电源电压（最大值） 1.11 V、电源电压（最小值） 1.02 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、接口类型 CAN, I2C, SDIO, Serial, SPI, UART，采用 FCBGA-367 封装。
半导体 > 集成电路 > Multimedia ICs > Video ICs