原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
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STMicroelectronics
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Lattice Semiconductor Corporation
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
APTSM120HM50CT3AG
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Full Bridge、产品 Power MOSFET Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, 25 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SP3F-32 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesBSM50GAL120DN2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Half Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 78 A，采用 Half Bridge GAL 1 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GB120DLC
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.4 V、25°C 时连续集电极电流 115 A，采用 32 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GB120DN2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Half Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 78 A，采用 Half Bridge1 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GB60DLC
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 32 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD120DLC
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.4 V、25°C 时连续集电极电流 85 A，采用 EconoPACK 2A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD120DN2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 72 A，采用 EconoPACK 2A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD120DN2E3226
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 EconoPACK 2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD60DLC
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 EconoPACK 2A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GP120
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 80 A，采用 EconoPIM3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules