搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
6KA24L-01HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-2HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-4HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-6600HE3_A/P	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
6KA24L-7001HE3_A/E	Vishay	6KA24HE3_B/C	2022-09-16	查看资料
FSA2457UMX	onsemi	TS3A5018	2022-06-30	查看资料
FSA2467UMX	onsemi	FSA2466UMX	2019-07-16	查看资料
MMT05B260T3G	onsemi	SMTPA240		查看资料
OPA241PA	Texas Instruments	OPA241UA/2K5 OPA251UA/2K5		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

52 个原型号

原型号

66AK2H12BAAWA24

Texas Instruments

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66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选

原型号

ISL84684IR

Renesas Electronics Corporation

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TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL84684IR-T

Renesas Electronics Corporation

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TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL84684IUZ

Renesas Electronics Corporation

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TS3A24159DGSRTexas Instruments相似型号

原型号

LP2981A-28DBVR

Texas Instruments

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TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LP2985AIM5X-2.9/NOPB

Texas Instruments

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TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LP2985IM5X-2.7/NOPB

Texas Instruments

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TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LP2992IM5-2.5/NOPB

Texas Instruments

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TPS7A2425DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

MIC6211BM5-TR

Microchip Technology

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OPA244NA/250Texas Instruments相似型号

原型号

S-1121B24MC-N2JTFG

ABLIC Inc.

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XC6504A241MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

391 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IXFA24N60X

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 24 A，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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IXGA24N120C3

IXYS

主要参数包括配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、25°C 时连续集电极电流 48 A、栅射漏电流 100 nA、耗散功率（Pd） 250 W、最小工作温度 - 40 C，采用 TO-263 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules

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IXTA24N65X2

IXYS

MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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IXTA24P085T

IXYS

主要参数包括技术 Si、类型 TrenchP Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 85 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 65 mOhms，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

LCDA24.TBT

Semtech

该型号为二极管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、接触放电静电耐受电压 8 kV、空气放电静电耐受电压 15 kV、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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LCDA24C-1.TCT

Semtech

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15 V、接触放电静电耐受电压 8 kV、空气放电静电耐受电压 15 kV、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MCMA240UI1600ED

IXYS

主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 200 A、非重复通态电流 1.5 kA、额定重复断态电压（VDRM） 1.6 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 100 uA、通态电压 1.27 V、最大维持电流（Ih） 200 mA。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules

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MCMA240UI1600P-PC

IXYS

主要参数包括电路类型 Isolated、通态有效值电流（It RMS） 47 A、非重复通态电流 1.28 kA, 1.5 kA、额定重复断态电压（VDRM） 1.6 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 100 uA、通态电压 1.89 V，采用 E2-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules

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MCMA240UI1600PED

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Rectifier Bridge、产品 Thyristor Power Modules、正向电压（Vf） 2.2 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Triple，采用 E2-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

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MDMA240U2200ED

IXYS

该型号为半导体器件。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

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