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IXYS

IXGA24N120C3

主要参数包括配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、25°C 时连续集电极电流 48 A、栅射漏电流 100 nA、耗散功率(Pd) 250 W、最小工作温度 - 40 C,采用 TO-263 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
IXYS
产品类别
IGBT Modules
产品系列
IXGA24N120
封装
TO-263
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
管装

技术参数

12 项参数
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
1.2 kV
25°C 时连续集电极电流
48 A
栅射漏电流
100 nA
耗散功率(Pd)
250 W
工作温度范围
-40~150 °C
高度
4.83 mm
长度
9.65 mm
宽度
10.41 mm
最大栅射电压
20 V
商品名称
GenX3
单件重量
0.056438 oz

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IXGA24N120C3 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技