原型号
查看详情 · 2 条候选IDT71V3557SA75BQG
Renesas Electronics Corporation
- 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
搜索结果
原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PT7A7514WEX-2017 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| NVG800A75L4DSB | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| NVG800A75L4DSC | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| PT7A7514WE | Diodes Incorporated |
| 2023-01-31 | 查看资料 |
| HUFA75307T3ST | onsemi |
| 2021-12-20 | 查看资料 |
| HUFA75639S3ST | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选IDT71V3577SA75BQI8
Renesas Electronics Corporation
- IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选IXD3263A755MR-G
Zilog
- IXD3263B755MR-GZilog参数相近
原型号
查看详情 · 3 条候选IXD3263B755MR-G
Zilog
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IXD3263A755MR-GZilog参数相近
原型号
查看详情 · 3 条候选IXD3264B75DER-G
Zilog
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IXD3263A75DER-GZilog参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选PT7A7533WE
Diodes Incorporated
- STM708TAM6FSTMicroelectronics直接替代候选
原型号
查看详情 · 3 条候选SYA75603ATWL-TRVAO
Microchip Technology
- SY75603ATWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选SYA75608TWL-TRVAO
Microchip Technology
- SY75608TWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TDA7560
STMicroelectronics
- E-TDA7560STMicroelectronics直接替代候选
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121A750MR-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6121C750MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TPA751D
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、类型 1-Channel Mono、输入类型 Differential，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersTPA751DGN
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、类型 1-Channel Mono、输入类型 Differential，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersTPA751DGNR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、类型 1-Channel Mono、输入类型 Differential，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersTPA751DR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、类型 1-Channel Mono、输入类型 Differential，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersTRF37A75IDSGR
Texas Instruments
主要参数包括工作频率 40～6000 MHz、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 12 dB、噪声系数（NF） 4 dB、输出三阶截点（OIP3） 32.5 dBm、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTRF37A75IDSGT
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、工作频率 40～6000 MHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 12 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 WSON-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierVS-GA75TS120UPBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、25°C 时连续集电极电流 110 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesXA7A75T-1CSG324I
Xilinx
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 210 个输入／输出、工作电源电压 1 V、产品 XA Artix-7、逻辑单元数 75520、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C，采用 CSBGA-324 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayXA7A75T-1CSG324Q
Xilinx
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 210 个输入／输出、工作电源电压 1 V、产品 XA Artix-7、逻辑单元数 75520、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 CSBGA-324 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayXA7A75T-1CSG324Q
AMD / Xilinx
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 75520 LE，采用 CSBGA-324 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array