Vishay Semiconductors
VS-GA75TS120UPBF
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、25°C 时连续集电极电流 110 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。
基本资料
- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- INT-A-PAK
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1200 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 110 A
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 高度
- 30 mm
- 长度
- 94 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 35 mm
- 最大栅射电压
- 20 V
- 型号别名
- GA75TS120UPBF
- 单件重量
- 7.054792 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。