原型号
查看详情 · 1 条候选SM502GE08LF02-AC
Silicon Motion, Inc.
- SM502GX08LF02-ACSilicon Motion, Inc.直接替代候选
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
BSM50GD120DLC
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.4 V、25°C 时连续集电极电流 85 A，采用 EconoPACK 2A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD120DN2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 72 A，采用 EconoPACK 2A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD120DN2E3226
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 EconoPACK 2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GD60DLC
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 EconoPACK 2A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GP120
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 80 A，采用 EconoPIM3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GP60
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 EconoPIM2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GP60G
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 EconoPIM3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesBSM50GX120DN2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 78 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesIRSM505-015DA
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 CIPOS、型号别名 SP001546588。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversIRSM505-015DA2
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 CIPOS、型号别名 SP001547104。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers